全省科技创新大会上，国星光电再传喜讯：公司全资子公司国星半导体凭借“Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件的界面调控技术”项目获得2019年度广东省技术发明一等奖。
据悉，获奖项目“Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件的界面调控技术”极大地提升了半导体材料的晶体质量和内量子效率，同时在芯片上突破了传统方法对器件影响较大，且不能适应柔性、轻质、高功率应用场合的问题，开发了一种界面保护机制的衬底剥离技术和键合技术，提高了GaN基化合物半导体器件的良品率，并进行产业化应用。为广东省在III-V族化合物半导体材料和器件领域奠定了优势地位，项目的整体成果已经达到了国际领先水平。
作为公司在外延芯片领域的重要战略布局，国星半导体围绕“技术高精尖化、市场国际化、生产规模化”三化战略部署，坚守“差异化发展战略”的初心，大力发展差异化、特色化、创新化的GaN芯片产品，拓展LED新蓝海，已形成蓝绿显屏芯片系列、家电数码芯片系列、高光效背光芯片系列、车灯用大功率倒装芯片系列、紫光芯片系列、Mini LED系列等六大芯片系列，并积极布局Micro LED、深紫外外延芯片、Si基GaN器件等全新的前瞻性技术领域。
国星半导体
经过多年发展，在广晟公司和国星光电的支持和领导下，国星半导体已成为全国知名品牌示范区骨干企业，同时企业通过了高新技术企业、广东省工程技术研发中心、省级企业技术中心、佛山市细分行业龙头企业、佛山市“专精特新”企业等荣誉认定，为广东省LED产业的高质量发展贡献力量。
